Biwin DW100 RGB DDR5 OC CUDIMM – Định nghĩa DRAM mới cho hiệu suất ép xung đỉnh cao

DW100 DDR5 OC CUDIMM là dòng DRAM ép xung được Biwin giới thiệu vào khoảng cuối năm 2024. Đây là một dòng DRAM được tích hợp công nghệ CUDIMM tiên tiến, mang lại tốc độ nhanh nhất lên đến 9200MT/s với độ trễ CAS cực thấp chỉ CL42.

DRAM CUDIMM là gì?

CUDIMM là một chuẩn DRAM khá mới, viết tắt của Clocked Unbuffered Dual Inline Memory Module. Chuẩn mô-đun RAM này được giới thiệu với khả năng điều chỉnh xung nhịp (cloked) và điện áp tùy theo tải công việc, cũng như yêu cầu hệ thống. Tất nhiên, CUDIMM cũng được tối ưu hóa để ép xung (overclocking) và có hiệu suất cao. Nó có thể duy trình khả năng truyền tính hiệu tốt ngay cả ở tốc độ cực cao. 

Nói đơn giản hơn, CUDIMM là phiên bản UDIMM được cải tiến thêm cơ chế quản lý xung và điện áp thông minh để đạt được hiệu suất ép xung tối đa.

Biwin DW100 DDR5 OC CUDIMM

Mô-đun DRAM cao cấp này được giới thiệu bởi Biwin OC Lab - phòng thí nghiệm đặc biệt của Biwin, tập trung vào việc bứt phá giới hạn ép xung cho RAM. OC Lab sử dụng quy trình lựa chọn chip tiên tiến đạt chuẩn chất lượng hàng đầu và được tinh chỉnh để khai phá tiềm năng ép xung vượt trội, mang lại tốc độ - tính ổn định - sự tinh cậy vượt trội.

Nâng cấp lên hiệu suất vượt trội - Công nghệ CUDIMM tiên tiến

Biwin DW100 RGB DDR5 OC CUDIMM là bản nâng cấp “trọn gói” về công nghệ DRAM, kết hợp những tiến bộ mới nhất từ OC Lab của Biwin. 

Mô-đun DRAM CUDIMM tiên tiến này tự động điều chỉnh tần số xung nhịp và điện áp dựa trên khối lượng công việc và nhu cầu hệ thống, đạt tốc độ cao hơn nhiều so với thông thường mà vẫn đảm bảo tính toàn vẹn tín hiệu tuyệt vời. Trong khi tốc độ chuẩn DDR5 là 6400 MT/s, Biwin DW100 RGB DDR5 có thể đạt tốc độ ép xung lên đến 9200 MT/s với độ trễ CAS ấn tượng là CL42. Với dung lượng 48GB (2 x 24GB), mô-đun tiên tiến này mang lại hiệu năng vượt trội, độ ổn định được cải thiện và tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn trên nhiều ứng dụng khác nhau.

Ép xung đỉnh cao - Đạt 9200 MT/s ở độ trễ CAS CL42

Được thiết kế để có hiệu suất ép xung vượt trội với tốc độ ép xung đáng kinh ngạc là 9200 MT/s ở độ trễ CAS là CL42, PMIC unlocked trong Biwin DW100 điều chỉnh điện áp một cách linh hoạt để đảm bảo nguồn điện ổn định trong các phiên ép xung cường độ cao.

Được chế tạo với PCB 10 lớp bền bỉ, sản phẩm giảm thiểu nhiễu điện từ, cung cấp nguồn điện đáng tin cậy và loại bỏ nguy cơ mất ổn định nguồn. Khách hàng có thể trải nghiệm hiệu suất vượt trội trên các ứng dụng đòi hỏi khắt khe, tất cả đều nhờ vào mô-đun bộ nhớ được thiết kế để đạt hiệu suất ép xung tối đa.

Giữ mát, giữ tốc độ - Thiết kế làm mát ba cánh tản nhiệt sáng tạo của Biwin DW100

Biwin DW100 RGB DDR5 chạy tốc độ cực nhanh nhưng vẫn đảm bảo khả năng quản lý nhiệt tối ưu với thiết kế tản nhiệt ba cánh cải tiến, tối đa hóa diện tích tiếp xúc không khí với bộ tản nhiệt. Bộ tản nhiệt hợp kim nhôm, được tăng cường bởi lớp phủ điện di, tản nhiệt hiệu quả và duy trì hiệu suất ổn định ngay cả trong điều kiện khắc nghiệt.

Set-up hiệu ứng RGB theo sở thích của bạn

Thiết kế của Biwin DW100 đã giành được cả giải thưởng REDDOT 2024 và giải thưởng Thiết kế Vàng của Pháp. Với khả năng điều khiển RGB có thể điều chỉnh với 8 zone, Biwin DW100 RGB DDR5 mang đến dải màu sắc rực rỡ và nhiều hiệu ứng ánh sáng, cho phép người dùng tùy chỉnh thiết lập để phù hợp với sở thích thẩm mỹ độc đáo của mình.

BIWIN DW100 RGB DDR5 OC CUDIMM dự kiến sẽ có mặt tại thị trường Việt Nam và "lên kệ" StorageShop trong Quý 4, 2025. Đừng quên theo dõi Fanpage StorageShop để cập nhật tin tức mới và vô số chương trình ưu đãi hấp dẫn nhé!